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(2PCS) HYB18T512400B2F-3S Qimonda DDR2 DRAM, 128MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60

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(2PCS) HYB18T512400B2F-3S Qimonda DDR2 DRAM, 128MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60

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  • Standort US, Granbury

Eigenschaften (2PCS) HYB18T512400B2F-3S Qimonda DDR2 DRAM, 128MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60

  • Primärer Kategoriename Business & Industrial, Electrical Equipment & Supplies, Electronic Components & Semiconductors, Semiconductors & Actives, Integrated Circuits (ICs), Memory ICs
  • Marke Qimonda
  • Mpn HYB18T512400B2F-3S

Beschreibung (2PCS) HYB18T512400B2F-3S Qimonda DDR2 DRAM, 128MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60

Technology CMOS. Access Mode FOUR BANK PAGE BURST. Surface Mount YES. Standby Current-Max (A) 0.003000000000000. Sequential Burst Length 4,8. Self Refresh YES. Seated Height-Max (mm) 1.2000. Refresh Cycles 8192. Finden, Kaufen oder wählen Sie die gewünschte Variante für (2PCS) HYB18T512400B2F-3S Qimonda DDR2 DRAM, 128MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60. Vergleichen Sie die Preise international und finden Sie das beste Angebot und den günstigsten Verkäufer mit bestem Preis.

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Versandinformationen für (2PCS) HYB18T512400B2F-3S Qimonda DDR2 DRAM, 128MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60

  • Versand an Standorte US, DK, GT, NZ, FJ, PG, SB, VA, SL, MH, NR, WF, AI, SV, GM, GU, FM, DO, MY, CM, GY, PL, SR, TO, KE, AR, SM, GW, SN, TG, KN, MA, IE, BI, VC, NL, SK, SI, GQ, TH, MR, BZ, PH, AW, UY, CG, AS, SE, CO, IS, ES, MK, EE, BE, LI, BJ, DZ, BM, MS, ZM, KR, AG, VU, EC, AL, SZ, IT, ET, MC, NE, TZ, PK, BF, PA, SG, CH, GH, DJ, PR, CL, CV, ML, BW, HR, MG, ID, PT, MT, KY, PY, CY, SC, LR, RW, BD, BO, MV, AU, AT, GI, LK, GA, LS, NG, MU, LC, BG, GN, CZ, NO, CA, CI, TC, KI, AD, GD, GR, RO, CR, IN, GL, MX, RS, ME, JP, NP, BS, LT, TT, PW, MW, BA, HU, AO, FI, TN, UG, LU, BR, TR, WS, FR, LV, JM, MZ, NA, PE, VI, HN

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