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Freescale MRFX1K80H RF Power LDMOS Transistor High Ruggedness 1.8–400 MHz 1800W

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Freescale MRFX1K80H RF Power LDMOS Transistor High Ruggedness 1.8–400 MHz 1800W

198,00 USD
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  • Artikel 136403670422
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  • Standort CN, 深圳

Eigenschaften Freescale MRFX1K80H RF Power LDMOS Transistor High Ruggedness 1.8–400 MHz 1800W

  • Primärer Kategoriename Business & Industrial, Electrical Equipment & Supplies, Electronic Components & Semiconductors, Semiconductors & Actives, Transistors
  • Mounting style PCB Mount
  • Minimum dc amplifier gain 21 dB
  • Configuration Single
  • Collector-emitter voltage 65 V
  • Mpn MRFX1K80H
  • Transistor category Power Transistor
  • Minimum operating temperature -40 °C (-40 °F)
  • Marke Freescale
  • Function Power Transistor
  • Series Freescale MRFX1K80H
  • Typ Power LDMOS Transistor
  • Maximum power dissipation 80 W
  • Modell MRFX1K80H
  • Number of pins 1
  • Maximum operating frequency 400 MHz
  • Maximum operating temperature 225 °C
  • Country of origin China

Beschreibung Freescale MRFX1K80H RF Power LDMOS Transistor High Ruggedness 1.8–400 MHz 1800W

( MRFX1K80H. WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR. MakerFreescale NXP). High Ruggedness N--Channel. This high ruggedness device is designed for use in high VSWR industrial. input and output design supports frequency use from 1.8 to 400 MHz. Finden, Kaufen oder wählen Sie die gewünschte Variante für Freescale MRFX1K80H RF Power LDMOS Transistor High Ruggedness 1.8–400 MHz 1800W. Vergleichen Sie die Preise international und finden Sie das beste Angebot und den günstigsten Verkäufer mit bestem Preis.

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